Твердофазное разложение полупроводников InP под действием импульсов лазерного излучения

Авторы

  • N.G. Jumamukhambetov Атырауский институт нефти и газа, г. Атырау, Казахстан
  • M.A. Janalieva Атырауский институт нефти и газа, г. Атырау, Казахстан
  • A.S. Dautova Атырауский институт нефти и газа, г. Атырау, Казахстан

Ключевые слова:

лазерное облучение, плотность дислокаций, монокристаллы фосфида индия

Аннотация

Показано, что термические напряжения, возникающие во время действия импульса облучения, приводят к появлению значительного количества дислокаций. Установлено, что плотность дислокаций с увеличением суммарной плотности энергии облучения увеличивается и при 250-300 Дж/см2 составляет около 8,4∙ 107 см-2.

Библиографические ссылки

1. Джаманбалин К.К., Дмитриев А.Г., Сокол- НомоконовЭ.Н., Уханов Ю И. Изменение морфо¬логии поверхности 1пР, GaAs и 1пAs под действием лазерного излучения пороговой плотности потока // ФХОМ, 1990. – №2. – С.20-23.

2. Джаманбалин К.К., Дмитриев А.Г., Сокол- Номоконов Э.Н., Уханов Ю.И. Обогащение поверхности кристаллов 1пР индием вследствие селективного испарения материала при им¬пульсной лазерной обработке // ФХОМ, 1990. – №3. – С.85-88.

3. Горелик С.С., Расторгуев Л.Н., Скапов Ю.А. Рентгенографический и электронно-оптический анализ. - М.: Металлургия, 1970. - 366 с.

4. АSТМ Card File. Diffraction data cards and alphabetical and grouped numerical index of X-ray diffraction data. Philadelphia: Ed.ASTM, 1969. - 421p.

5. Миркин ЛИ. Справочник по рентгеноструктурному анализу поликристаллов. - М.: Физматгиз, 1961. - 863 с.

6. Флехин В.П. Физика прочности и пластичности поверхностных слоев материалов. - М.: Наука, 1983. - 280 с.

7. Wilkens M. Das mittlere spanungsquadrat <δ2> begrenzet regellos verteilter versetzungen in einem zylinderformigen korper. //Acta metal., 1989.- V.7, No.17. - Р.1155-1159.

Загрузки

Опубликован

2012-12-21

Выпуск

Раздел

Физика конденсированного состояния и проблемы материаловедения. Нанонаука