[1]
Bakranova, D., Kukushkin, S., Nussupov, K., Osipov, A. и Beisenkhanov, N. 2018. Структура и фазовый состав эпитаксиальных пленок SiC, выращенных методом замещения атомов. Вестник. Серия Физическая (ВКФ). 60, 1 (мар. 2018), 46–51.