(1)
Bakranova, D.; Kukushkin, S.; Nussupov, K.; Osipov, A.; Beisenkhanov, N. Структура и фазовый состав эпитаксиальных пленок SiC, выращенных методом замещения атомов. Rec.Contr.Phys. 2018, 60, 46-51.