Bakranova, D., Kukushkin, S., Nussupov, K., Osipov, A., & Beisenkhanov, N. (2018). Структура и фазовый состав эпитаксиальных пленок SiC, выращенных методом замещения атомов. Вестник. Серия Физическая (ВКФ), 60(1), 46–51. извлечено от https://bph.kaznu.kz/index.php/zhuzhu/article/view/512