BAKRANOVA, D.; KUKUSHKIN, S.; NUSSUPOV, K.; OSIPOV, A.; BEISENKHANOV, N. Структура и фазовый состав эпитаксиальных пленок SiC, выращенных методом замещения атомов. Вестник. Серия Физическая (ВКФ), [S. l.], v. 60, n. 1, p. 46–51, 2018. Disponível em: https://bph.kaznu.kz/index.php/zhuzhu/article/view/512. Acesso em: 19 окт. 2024.