Bakranova, D., Kukushkin, S., Nussupov, K., Osipov, A. и Beisenkhanov, N. (2018) «Структура и фазовый состав эпитаксиальных пленок SiC, выращенных методом замещения атомов», Вестник. Серия Физическая (ВКФ), 60(1), сс. 46–51. доступно на: https://bph.kaznu.kz/index.php/zhuzhu/article/view/512 (просмотрено: 22 ноябрь 2024).