Bakranova, D., Kukushkin, S., Nussupov, K., Osipov, A. и Beisenkhanov, N. (2018) «Структура и фазовый состав эпитаксиальных пленок SiC, выращенных методом замещения атомов», Recent Contributions to Physics, 60(1), сс. 46–51. доступно на: https://bph.kaznu.kz/index.php/zhuzhu/article/view/512 (просмотрено: 8 декабрь 2025).