D. Bakranova, S. Kukushkin, K. Nussupov, A. Osipov, и N. Beisenkhanov, «Структура и фазовый состав эпитаксиальных пленок SiC, выращенных методом замещения атомов», ВКФ, т. 60, вып. 1, сс. 46–51, мар. 2018.