Bakranova, D., S. Kukushkin, K. Nussupov, A. Osipov, и N. Beisenkhanov. «Структура и фазовый состав эпитаксиальных пленок SiC, выращенных методом замещения атомов». Вестник. Серия Физическая (ВКФ), т. 60, вып. 1, март 2018 г., сс. 46-51, https://bph.kaznu.kz/index.php/zhuzhu/article/view/512.