Bakranova, D.I., S.A. Kukushkin, K.Kh. Nussupov, A.V. Osipov, и N.B. Beisenkhanov. «Структура и фазовый состав эпитаксиальных пленок SiC, выращенных методом замещения атомов». Вестник. Серия Физическая (ВКФ) 60, no. 1 (март 29, 2018): 46–51. просмотрено сентябрь 27, 2024. https://bph.kaznu.kz/index.php/zhuzhu/article/view/512.