Bakranova D, Kukushkin S, Nussupov K, Osipov A, Beisenkhanov N. Структура и фазовый состав эпитаксиальных пленок SiC, выращенных методом замещения атомов. Rec.Contr.Phys. [Интернет]. 29 март 2018 г. [цитируется по 6 декабрь 2025 г.];60(1):46-51. доступно на: https://bph.kaznu.kz/index.php/zhuzhu/article/view/512