Исследование эпитаксиальных пленок арсенида галлия, выращенных на подложках из антимонида никеля

Abstract

Исследованы структурные свойства пленок арсенидагаллия с кристаллографической ориентацией (111), выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на интерметаллических подложках из антимонида никеля с ориентацией (0001). Показано, что спектры комбинационного рассеяния выращенных пленок так же, какдля монокристаллического GaAs, характеризуются двумя линиями продольных (LO) и поперечных (TO) оптических мод фононов. Для комбинационных спектров полученных пленок наблюдается уширение спектральных линий и сдвиг максимумов LO и ТО колебательных мод в длинноволновую часть спектра, что указывает на образование дефектов внутри эпитаксиальных слоев в процессе роста. Данные рентгеноструктурного анализа подтверждают, что полученные гетероэпитаксиальные слои NiSb-GaAs являются монокристаллическими с ориентацией (111). Установлено, что отжиг такой структуры в вакууме при температуре 6200 С в течении 10 минут приводил к более узкими пиками комбинационного рассеяния света, что свидетельствует об улучшенной кристаллической структуры в таких пленках.