О ЯВЛЕНИЯ УБЕГАЮЩИХ ЭЛЕКТРОНОВ В ЧАСТИЧНО ИОНИЗОВАННОЙ НЕИДЕАЛЬНОЙ ПЛАЗМЕ

Аңдатпа

Исследовано явление убегания электронов частично-ионизованной неидеальной плазмы на основе псевдопотенциальных моделей. Получены условия “просвиста” электронов.  Определены зависимости длины свободного пробега электронов от параметров связи и плотности частиц плазмы. Показано, что учет эффекта экранировки и кванто-механических эффектов дифракции в частично-ионизованной плазме приводит к появлению максимума на кривой частоты столкновений электронов и минимума на кривой длины свободного пробега электронов при определенных значений параметра связи.