Әр түрлі ортада күйдірілген NiOX қабықшаларының құрылымдық, оптикалық және электрлік тасымалдау қасиеттерінің эволюциясы
DOI:
https://doi.org/10.26577/RCPh.2024v90i3-05Кілт сөздер:
никель оксиді, никель оксиді, золь-гель технологиясы, золь-гель технологиясы, күйдіру ортасы, күйдіру ортасы, оптикалық тыйым салынған аймақ, оптикалық тыйым салынған аймақ, жұтылу коэффициенті, жұтылу коэффициенті, дисперсия индексі, дисперсия индексі, электр тасымалдау сипаттамалары, электр тасымалдау сипаттамаларыАңдатпа
Бұл жұмыста никель оксидінің (NiOx) жұқа қабықшаларын құрылымдық, оптикалық және электр тасымалдау қасиеттері зерттелді. NiOx қабықшалары золь - гель әдісімен синтезделіп, 300 °C температурада ауада, инертті азот (N2), оттегі (O2) газдарында және вакуумда күйдірілді. Қабықшалар қалыңдығының мәндері СЭМ суреттеріндегі көлденең кескіндерінен анықталды. Қабықшалардың қалыңдығы күйдіру ортасына байланысты өзгереді. NiOx қабықшаларының EDX спектрлерін өлшеу жүргізілді. O/Ni сандық қатынасын талдау, ауа атмосферасында күйдірілген қабықша NiO стехиометриялық көрсеткіштеріне жақын екенін көрсетті. Комбинациялық шашырау спектрлері бойынша шыңдар қарқындылығының жоғарылауы байқалады, бұл күйдіру ортасына байланысты Ni бос орындарының қабықша ақауларының тығыздығының жоғарылауын көрсетеді. Жұтылу спектрлері алынды және NiO пленкаларының таук графиктері қабықшалардың оптикалық тығыздығы, қабықшаларды күйдіру жағдайларына байланысты. Деректерді талдау көрсеткендей, тыйым салынған аймақ ені күйдіру ортасына байланысты Eg = 3,12 эВ-ден Eg = 3,45 эВ-ге дейінгі аралықта. Кедергі спектрлерін талдау R1 және R2 кедергі мәндерін бағалауға мүмкіндік берді. R1 кедергісінің жоғарылауы NiOx пленкасындағы ақаулардың тығыздығының төмендеуімен, R2 рекомбинациялық кедергісінің төмендеуімен және рекомбинациялық процестердің жоғарылауымен байланысты екендігі көрсетілген.
