О ЯВЛЕНИЯ УБЕГАЮЩИХ ЭЛЕКТРОНОВ В ЧАСТИЧНО ИОНИЗОВАННОЙ НЕИДЕАЛЬНОЙ ПЛАЗМЕ. ЖАРТЫЛАЙ ИОНДАЛҒАН ИДЕАЛ ЕМЕС ПЛАЗМАДАҒЫ ЭЛЕКТРОНДАРДЫҢ ЗЫМЫРАУ ҚҦБЫЛЫСЫ ТУРАЛЫ

Аңдатпа

Исследовано явление убегания электронов частично-ионизованной неидеальной плазмы на основе псевдопотенциальных моделей. Получены условия ―просвиста‖ электронов. Определены зависимости длины свободного пробега электронов от параметров связи и плотности частиц плазмы. Показано, что учет эффекта экранировки и кванто-механических эффектов дифракции в частично- 108 ионизованной плазме приводит к появлению максимума на кривой частоты столкновений электронов и минимума на кривой длины свободного пробега электронов при определенных значений параметра связи. Жартылай иондалған идеал емес плазманың псевдопотенциальдық модельдері негізінде электрондардың зымырау құбылысы зерттелген. Электрондардың зымырау шарттары алынған. Электрондардың еркін жүру ұзындығының плазма тығыздығына және байланыс параметріне тәуелділіктері алынған. Экрандалу эффектісін және кванттық дифракция эффектісін ескергенде байланыс параметрінің белгілі бір мәндерінде электрондардың соқтығысу жиілік сызығында максимум және еркін жүру ұзындық сызығында минимум пайда болатындығы кӛрсетілген.