Воздействие термического флуктирующего потенциала на динамику автолокализации экситонов в кристалле KI

Аңдатпа

В рамках континуальной теории в первом приближении предложена модель автолокализации экситона с учетом воздействия флуктирующего потенциала. На основе квантово-механической теории об изменении волнового вектора экситонов при термическом воздействии найдены выражения температурной зависимости постоянной решетки в щелочногалоидных кристаллах (ЩГК). На примере кристалла KI получена зависимость высоты потенциального барьера автолокализации экситонов от температуры. Уменьшение высоты потенциального барьера при увеличении температуры  интерпретируется усилением интенсивности свечения автолокализованных  экситонов в ЩГК при нагреве.