СОЗДАНИЕ И ИССЛЕДОВАНИЕ ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ НА ОСНОВЕ ОТДЕЛЯЕМЫХ ПЛЕНОК AlAs-GaAs. AlAs-GaAs БӨЛІНІП АЛЫНАТЫН ҚАБЫҚШАЛАРДЫҢ НЕГІЗІНДЕ ЖАРТЫЛАЙ ӨТКІЗГІШТІКTI ҚҰРАЛДАРДЫ ЖАСАУ ЖƏНЕ ОЛАРДЫҢ ПАРАМЕТРЛЕРІҢ ЗЕРТТЕУ - Antoschenko, V. S.; Baiganatova, Sh. B.; Taurbayev, T. I.; Frantsev, Yu. V. (Хабаршы. Физика сериясы, 2009)
Методом жидкофазной эпитаксии с использованием лишь одного раствора-расплава сформирован тонкопленочный фотопреобразователь со структурой Аu/n - GaАs/n+ - GаАs/n – AlGaAs. Полученные результаты показывают перспективность применения отделяемой технологии для создания приборов микро- и оптоэлектроники. Бір ерітінді-балқыманы пайдалану арқылы сұйық-фазалы эпитаксия процесі арқылы бөліну əдісімен құрылған Аu/n - GaАs/n+ - GаАs/n - AlGaAs құрылымды жұқа қабықшалы арзан фототүрлендіруші жасалған. Алынған нəтижелер бөлініп алынатын технологиясының микро- жəне оптоэлектрониканың құралдарың жасауға қолданудын перспективті екенін көрсетеді.