Sn- Ga / InP ЖҮЙЕСІНДЕ БӨЛІНІП ӨСУ ӘДІСІМЕН АЛЫНҒАН ГАЛЛИЙ ФОСФИДІНІҢ ҮЛДІРЛІК МОНОКРИСТАЛДЫҚ ТӨСЕНІШІНІҢ ҚАЛЫНДЫҒЫН БАҒАЛАУ - Antoshchenko, V.S.; Lavrishchev, O.A.; Frantsev, YU.V. (Хабаршы. Физика сериясы, 2008)
Бөлінген өсу әдісімен дайындалған GaP монокристалды матрицалық субстраттардың қалыңдығын бағалау әдісі ұсынылады. 20 нм-ден аз матрицалық субстраттардың пайда болу мүмкіндігі көрсетілген.