РАДИАЦИОННОЕ СОЗДАНИЕ V – ЦЕНТРОВ В КРИСТАЛЛАХ KCl, KBr И KI В ПОЛЕ ЛЕГКОГО КАТИОНА, ПЛАСТИЧЕСКОЙ И УПРУГОЙ ДЕФОРМАЦИИ - Bizhanova, K.; Shunkeyev, K. (Хабаршы. Физика сериясы, 2018)
В работе методом абсорбционной спектроскопии исследованы эффективности созданных рентгеновской радиации V – центров в кристаллах KCl, KBr и KI в полях легких катионов, пластической и упругой деформации. Установлено, что в поле легкого катиона эффективнее создаются V4A º (X3-)aca0MA+Xi- - центры, а в поле дивакансий (va+ vc-) - V2 º(X3-)aca0- центры, которые образуются при взаимодействии двух междоузельных атомов галогена в поле легкого катиона и дивакансий (va+ vc-), соответственно. В поле упругого напряжения эффективность создания V – центров в кристаллах KCl не меняется, в кристаллах KBr - слегка уменьшается за счет увеличения эффективности создания Br2–центров, в кристалле KI – резко уменьшается. Эффект уменьшения создания радиационных дефектов в кристаллах KI в поле упругого напряжения интерпретирован энергетической невыгодностью распада автолокализованных экситонов на первичные радиационные дефекты – F, Н – пары.