D. Bakranova, S. Kukushkin, K. Nussupov, A. Osipov, and N. Beisenkhanov, “Структура и фазовый состав эпитаксиальных пленок SiC, выращенных методом замещения атомов”, Rec.Contr.Phys., vol. 2017, no. 1, pp. 46–51, Mar. 2018, Accessed: Jul. 13, 2026. [Online]. Available: https://bph.kaznu.kz/index.php/zhuzhu/article/view/512