D. Bakranova, S. Kukushkin, K. Nussupov, A. Osipov, and N. Beisenkhanov, “Структура и фазовый состав эпитаксиальных пленок SiC, выращенных методом замещения атомов”, Rec.Contr.Phys., vol. 60, no. 1, pp. 46–51, Mar. 2018, Accessed: Oct. 15, 2026. Available: https://bph.kaznu.kz/index.php/zhuzhu/article/view/512