1.
Bakranova D, Kukushkin S, Nussupov K, Osipov A, Beisenkhanov N. Структура и фазовый состав эпитаксиальных пленок SiC, выращенных методом замещения атомов. Rec.Contr.Phys. [Internet]. 2018 Mar. 29 [cited 2026 Jul. 14];2017(1):46-51. Available from: https://bph.kaznu.kz/index.php/zhuzhu/article/view/512