Компьютерное моделирование плотности состояния нанокристалла NaF
DOI:
https://doi.org/10.26577/rcph-2019-1-1097Ключевые слова:
Нанокристалл NaF, плотность состояний, зонная структура, полная энергияАннотация
В настоящее время интенсивно применяются различные теоретические методы исследования для интерпретации экспериментальных результатов, связанных с изучением свойств дефектов в твердых телах. Прогресс в этом направлении возможен благодаря совершенствованию компьютерных технологий и разработке современных квантово-химических пакетов. В работе представлены результаты компьютерного моделирования плотности состояний и полной энергии идеального нанокристалла NaF (Na13F14, Na4F5, Na22F23) и с простейшими точечными дефектами в различных кластерных соединениях (Na12F13, Na21F22). Моделирование характеристик реализовано в программе Atomistix ToolKit with Virtual NanoLab в функциональности GGA (generalized gradient approximation). Исследуемые объекты относятся к квантовым точкам. Полученные результаты могут быть полезными при исследовании нанокристаллов.
