Атомы внедрения в окта- и тетраэдрических междоузлиях ОЦК кристаллов со свободной поверхностью

Авторы

  • Ol.D. Zolotarenko Институт химии поверхности им. А.А. Чуйко НАН Украины, Институт проблем материаловедения им. І.Н. Францевича НАН Украины, Украина, г. Киев http://orcid.org/0000-0001-8933-7061
  • O.P. Rudakova Институт проблем материаловедения им. І.Н. Францевича НАН Украины, Украина, г. Киев http://orcid.org/0000-0002-9974-9438
  • An.D. Zolotarenko Институт химии поверхности им. А.А. Чуйко НАН Украины, Институт проблем материаловедения им. І.Н. Францевича НАН Украины, Украина, г. Киев http://orcid.org/0000-0002-4108-0815
  • D.V. Shchur Институт проблем материаловедения им. І.Н. Францевича НАН Украины, Украина, г. Киев http://orcid.org/0000-0001-9601-1721
  • N.A. Gavrilyuk Институт химии поверхности им. А.А. Чуйко НАН Украины, Институт проблем материаловедения им. І.Н. Францевича НАН Украины, Украина, г. Киев http://orcid.org/0000-0002-1545-8204
  • N.T. Kartel Институт химии поверхности им. А.А. Чуйко НАН Украины, Украина, г. Киев http://orcid.org/0000-0002-9431-5921
  • O.D. Zolotarenko Институт проблем материаловедения им. І.Н. Францевича НАН Украины, Украина, г. Киев http://orcid.org/0000-0002-8253-5695
  • V.A. Mashira Институт проблем материаловедения им. І.Н. Францевича НАН Украины, Украина, г. Киев http://orcid.org/0000-0002-8955-7328

DOI:

10.26577/RCPh.2022.v81.i2.09

Ключевые слова:

кристалл, твердое тело, строение твердых тел

Аннотация

Физические свойства кристаллов определяются их химической природой, структурой как всего объема, так и поверхностного слоя. Поверхность металла, ионного или ковалентного кристалла и полупроводника можно рассматривать как особое состояние вещества со своей химией и физикой. Интерес к проблеме поверхности твердого тела, к науке о поверхности, к физике тонких пленок стимулируется достижениями в физике твердого тела, техническими новшествами, возможностями создания новых пленочных материалов с уникальными свойствами, задачами современной техники, требованиями технологии по созданию устройств для вычислительной техники и микроэлектроники.

В настоящей работе рассмотрены процессы перераспределения атомов внедрения по поверхностным и объемным междоузлиям, проведены исследования равновесного распределения внедренных атомов на поверхности и в объеме кристалла, а также влияния внешнего давления на поверхностное и объемное распределение атомов внедрения. Знание процессов перераспределения атомов внедрения по междоузлиям кристалла и вызывающих их причин может позволить целенаправленно формировать эти процессы с целью получения тех или иных физических характеристик материалов. Кинетика перераспределения атомов внедрения по междоузлиям в объеме изучалась для металлов и упорядочивающихся сплавов различных структур.

Загрузки

Опубликован

29.06.2022

Выпуск

Раздел

Физика конденсированного состояния и проблемы материаловедения. Нанонаука

Как цитировать

Атомы внедрения в окта- и тетраэдрических междоузлиях ОЦК кристаллов со свободной поверхностью. (2022). Recent Contributions to Physics, 2022(2), 68-77. https://doi.org/10.26577/RCPh.2022.v81.i2.09