Воздействие термического флуктирующего потенциала на динамику автолокализации экситонов в кристалле KI

N.N. Zhanturina; K.Sh. Shunkeev; B.A. Aliev

Воздействие термического флуктирующего потенциала на динамику автолокализации экситонов в кристалле KI

Авторы

N.N. Zhanturina Казахский национальный университет имени аль-Фараби, Казахстан, г. Алматы
K.Sh. Shunkeev Актюбинский государственный педагогический институт, г.Актобе, Казахстан
B.A. Aliev Казахский национальный университет имени аль-Фараби, Казахстан, г. Алматы

Ключевые слова:

экситон, квантово-механическая теория, кристалл KI, потенциальный барьер автолокализации

Аннотация

В рамках континуальной теории в первом приближении предложена модель автолокализации экситона с учетом воздействия флуктирующего потенциала. На основе квантово-механической теории об изменении волнового вектора экситонов при термическом воздействии найдены выражения температурной зависимости постоянной решетки в щелочногалоидных кристаллах (ЩГК). На примере кристалла KI получена зависимость высоты потенциального барьера автолокализации экситонов от температуры. Уменьшение высоты потенциального барьера при увеличении температуры интерпретируется усилением интенсивности свечения автолокализованных экситонов в ЩГК при нагреве.

Загрузки

Опубликован

27.06.2012

Выпуск

Том 2012 № 2 (2012): Вестник КазНУ. Серия физическая

Раздел

Физика конденсированного состояния и проблемы материаловедения. Нанонаука

Как цитировать

[1]

N. Zhanturina, K. Shunkeev, и B. Aliev, «Воздействие термического флуктирующего потенциала на динамику автолокализации экситонов в кристалле KI», Rec.Contr.Phys., т. 2012, вып. 2, сс. 15–19, июн. 2012, просмотрено: 14 июль 2026 г. [онлайн]. доступно на: https://bph.kaznu.kz/index.php/zhuzhu/article/view/687