Наноструктурные дефекты на поверхности и в объеме в кристаллах LiF-O при воздействии радиации

A. Dauletbekova; A. Akilbekov; A. Abdrakhmetova; A. Russakova; M. Baizhumanov; Z. Umatova

Авторы

A. Dauletbekova Евразийский национальный университет им. Л.Н. Гумилева, г. Астана, Казахстан
A. Akilbekov Евразийский национальный университет им. Л.Н. Гумилева, г. Астана, Казахстан
A. Abdrakhmetova Евразийский национальный университет им. Л.Н. Гумилева, г. Астана, Казахстан
A. Russakova Евразийский национальный университет им. Л.Н. Гумилева, г. Астана, КазахстанАстанинский филиал ИЯФ НЯЦ РК,
M. Baizhumanov Евразийский национальный университет им. Л.Н. Гумилева, г. Астана, Казахстан
Z. Umatova Евразийский национальный университет им. Л.Н. Гумилева, г. Астана, Казахстан

Ключевые слова:

кристаллы LiF, центры окраски, дислокация, ионное облучение, импульсное электронное облучение, нанокристаллиты

Аннотация

Эволюция структурных дефектов исследовалась в кристаллах LiF -O облученных ионами 117 МэВ ⁸⁴Kr с ионным током 10 нA/cм² диапазон флюенса 10¹¹ - 10¹⁴ см² при комнатной температуре на циклотроне DC-60 и электронным пучком (средняя энергия электронов 0,2 МэВ и длительность импульса 10 нс). При флюенсе 10¹¹ cм², Исследования с помощью сканирующей электронной микроскопией показывают создание в основном ионных треков. Выше этого флюенса наблюдалась структурная модификация в облученном слое, которые включают в себя вызванные ионным облучением нанокристаллиты и дислокации. При электронном облучении не наблюдались наноструктуры.