Наноструктурные дефекты на поверхности и в объеме в кристаллах LiF-O при воздействии радиации - Dauletbekova, A.; Akilbekov, A.; Abdrakhmetova, A.; Russakova, A.; Baizhumanov, M.; Umatova, Z. (Recent Contributions to Physics, 2012)
Эволюция структурных дефектов исследовалась в кристаллах LiF -O облученных ионами 117 МэВ 84Kr с ионным током 10 нA/cм2 диапазон флюенса 1011 - 1014 см2 при комнатной температуре на циклотроне DC-60 и электронным пучком (средняя энергия электронов 0,2 МэВ и длительность импульса 10 нс). При флюенсе 1011 cм2, Исследования с помощью сканирующей электронной микроскопией показывают создание в основном ионных треков. Выше этого флюенса наблюдалась структурная модификация в облученном слое, которые включают в себя вызванные ионным облучением нанокристаллиты и дислокации. При электронном облучении не наблюдались наноструктуры.