Изучение параметров электронной литографии посредством АСМ - Myrzabekova M.М.; Guseinov, N.R.; Zaitsev, S.I.; Shabelnikova, Ya.L.; Muratov, M.M.; Muradova, S.R.; Turarbaeva, T.B. (Вестник. Серия физическая, 2019)
В работе рассматривается один из методов формирования микро- и нано- изображений с высокой точностью контролирования процесса – электронная литография. По сравнению с остальными технологиями наноструктурирования, в частности, такими как фотолитография, электронная литография является более универсальной. В данной работе описаны технологические процессы электронной литографии на кремниевой подложке с применением резиста на основе полимера ПММА. Облучение проводилось в камере СЭМ электронами с энергией 5 кэВ, 15 кэВ, 30 кэВ и дозой экспонирования 1-10000 мкКл/см2. Анализ полученных образцов с помощью оптической и атомно-силовой микроскопии (АСМ) показал зависимость цвета и соответствующей толщины резиста от дозы облучения. На основе профилей толщины резиста был проведен расчет таких параметров как положительная и негативная чувствительность и контраст.