Пьезоспектроскопический анализ механических напряжений в Si3N4 и AlN, облученных тяжелыми ионами высоких энергий - Zhumazhanova, A.; Giniyatova, Sh.; Mutali, A.; Ibrayeva, A.; Skuratov, V.; Dauletbekova, A.; Korneeva, E.; Akilbekov, A.; Zdorovets, M. (Recent Contributions to Physics, 2022)
Методы рамановской пьезоспектроскопии с пространственным разрешением в данной работе были использованы для изучения профилей остаточных механических напряжений в поликристаллических нитридах кремния и алюминия, облученных высокоэнергетическими ионами висмута c энергией 710 МэВ до флюенсов 1 × 1012, 2 × 1012 и 1 × 1013 см-2. По результатам установлено, что в облученном слое Si3N4 формируются поля напряжений различного знака, разделенные буферной зоной, находящейся на глубине, совпадающей с толщиной слоя образца, аморфизованного при высоких флюенсах ионов за счет многократного перекрытия трековых областей. На больших глубинах регистрируются растягивающие напряжения, уровень которых достигает максимального значения в области конца пробега ионов. Показано что, в отличие от Si3N4, уровень радиационно-стимулированного изменения механических напряжений в AlN был в пределах ошибки измерений по всей толщине облученного слоя, только за исключением приповерхностной области. Наблюдаемый эффект связывается с разной структурной чувствительностью нитридов кремния и алюминия к воздействию ионизации высокой плотности – образованием аморфных латентных треков в Si3N4 и их отсутствием в AlN.