ОЦЕНКА ТОЛЩИНЫ ПЛЕНОЧНЫХ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПОДЛОЖЕК ФОСФИДА ГАЛЛИЯ, ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ ОТДЕЛЯЕМОГО РОСТА В СИСТЕМЕ Sn- Ga / InP - Антощенко, В. С.; Лаврищев, О. А.; Францев, Ю. В. (Recent Contributions to Physics, 2008)
Предложена методика расчета и проведена оценка толщины пленочныхмонокристаллических подложек фосфида галлия, сформированных методом отделяемого роста из раствора-расплава. Показана возможность выращивания матричных пленочных подложек толщиной менее 20 нанометров.