Влияние неоднородности материала на спектрометрические характеристики кремниевых детекторов - Saymbetov, A.K.; Japashov, N.M.; Sissenov, N.K.; Mukhametkali, B.K.; Kuttybay, N.B.; Tulkibayuly, Ye.; Nurgaliyev, M.K.; Mansurova, A.A. (Recent Contributions to Physics, 2016)
В работе рассматривается влияние неоднородности материала на спектрометрические характеристики кремниевых детекторов. Рассмотрены структурные особенности Si(Li) p-i-n детекторов. Описаны результаты исследования диффузии и дрейфа ионов лития в кремний, выращенный по методу Чохральского и безтигельной зонной плавкий. Показано что, недостаточная компенсация чувствительной области детекторов обуславливается наличием локальных неоднородностей в объеме исходного материала, а также несовершенством контактов p-i-n структур. Описаны вольт – амперные и вольт-фарадные характеристики Si(Li) детекторов. Получены энергетические спектры детекторных структур по β-частицам 207Bi (Е=1 МэВ) Rβ=38 кэВ и по α-частицами 226Ra (Еα=7,65 МэВ) Rα=65 кэВ. Экспериментально показано, что результаты из низкоомного p-Si выращенного методом Чохральского имеют преимущества при использований для изготовления Si(Li) p-i-n детекторов больших размеров, малыми обратными токами и высокими эксплутационными характеристиками.
Keywords: кремний, дрейф ионов лития, p-i-n структура, Si(Li) детектор