1.
Bakranova D, Kukushkin S, Nussupov K, Osipov A, Beisenkhanov N. Структура и фазовый состав эпитаксиальных пленок SiC, выращенных методом замещения атомов. Rec.Contr.Phys. 2018;2017(1):46-51. просмотрено июль 5, 2026. https://bph.kaznu.kz/index.php/zhuzhu/article/view/512