D. Bakranova, S. Kukushkin, K. Nussupov, A. Osipov, и N. Beisenkhanov, «Структура и фазовый состав эпитаксиальных пленок SiC, выращенных методом замещения атомов», Rec.Contr.Phys., т. 60, вып. 1, сс. 46–51, мар. 2018, просмотрено: авг. 24, 2026. доступно на: https://bph.kaznu.kz/index.php/zhuzhu/article/view/512