D. Bakranova, S. Kukushkin, K. Nussupov, A. Osipov, и N. Beisenkhanov, «Структура и фазовый состав эпитаксиальных пленок SiC, выращенных методом замещения атомов», Rec.Contr.Phys., т. 2017, вып. 1, сс. 46–51, мар. 2018, просмотрено: 5 июль 2026 г. [онлайн]. доступно на: https://bph.kaznu.kz/index.php/zhuzhu/article/view/512