Разработка кремниевых стриповых детекторов с ортогональным полем

Авторы

  • A.K. Saymbetov Казахский национальный университет имени аль-Фараби, Казахстан, г. Алматы
  • A.K. Imanbayeva Казахский национальный университет имени аль-Фараби, Казахстан, г. Алматы
  • Y.K. Toshmurodov Физико-технический институт АН Узбекистана, г.Ташкент, Узбекистан
  • B.K. Mukhametkali Казахский национальный университет имени аль-Фараби, Казахстан, г. Алматы
  • N.M. Japashov Казахский национальный университет имени аль-Фараби, Казахстан, г. Алматы
  • Zh.G. Ayazbay Казахский национальный университет имени аль-Фараби, Казахстан, г. Алматы

Ключевые слова:

p-i-n структура, детектор, Si(Li) стрип детектор

Аннотация

Разработка полупроводниковых полосковых детекторов с ортогональным полем с высокой энергией и положением, линейность сигнала в широком диапазоне энергий для различных типов частиц тесно связана с технологией изготовления модулей обнаружения и полупроводниковых свойств исходного кристалла. В работе рассматриваются физико-технологические особенности изготовления Si(Li) стриповых детекторов с ортогональном полем с большой чувствительной областью. Электрофизические и радиометрические параметры изготовленной детекторов при рабочем напряжении U=(50-600)В находятся в пределах значения темнового тока I ~ (0,1÷0,5) мкА, емкость С = (20÷200)пФ, шумы = (12÷35) кэВ. Энергетические разрешения Rβ = 18кэВ по ЭВК 207Bi (Eβ = 1МэВ) и Rα = 46 кэВ по 238Pu (Eα ≈ 5,5MэВ), соответственно. Исследовано влияние неоднородностей на характеристики стриповых детекторов, а также их роль в явлениях переноса носителей заряда в условиях ортогонального поля.

Библиографические ссылки

1. Akimov Y.K. Silicon radiation detectors (Review) // Instruments and Experimental Techniques. – 2007. – Vol. 50. – №. 1. – P. 1-28.
2. Schlesinger T.E. et al. Cadmium zinc telluride and its use as a nuclear radiation detector material //Materials Science and Engineering: R: Reports. – 2001. – Vol. 32. – №. 4. – P. 103-189.
3. Azimov S.A. et al. Silicon-Lithium Nuclear Radiation Detectors // FAN, Tashkent. – 1981. – P. 256.
4. Muminov R.A., Radzhapov S.A., Saimbetov A.K. Silicon-lithium telescopic detector in one crystal //Atomic energy. – 2009. – Vol. 106. – №. 2. – P. 141-142.
5. Muminov R.A., Saymbetov A.K., Toshmurodov Y.K. Special features of formation of high-performance semiconductor detectors based on αSi-Si (Li) heterostructures //Instruments and Experimental Techniques. – 2013. – Vol. 56. – №. 1. – P. 32-33.
6. Muminov R.A., Radzhapov S.A., Saimbetov A.K. Developing Si (Li) nuclear radiation detectors by pulsed electric field treatment //Technical Physics Letters. – 2009. – Vol. 35. – №. 8. – P. 768-769.

References

1. Y.K. Akimov, Instruments and Experimental Techniques, 50(1), 1-28, (2007).
2. T.E. Schlesinger et al., Materials Science and Engineering: R: Reports, 32, 4, 103-189. (2001).
3. S.A. Azimov et al., FAN, Tashkent, 256, (1981).
4. R.A. Muminov, S.A. Radzhapov, A.K. Saimbetov, Atomic energy, 106(2), 141-142, (2009).
5. R.A. Muminov, A.K. Saymbetov, Y.K. Toshmurodov, Instruments and Experimental Techniques, 56(1), 32-33, (2013).
6. R.A. Muminov, S.A. Radzhapov, A.K. Saimbetov, Technical Physics Letters, 35(8), 768-769, (2009).

Загрузки

Опубликован

2017-10-10

Выпуск

Раздел

Физика конденсированного состояния и проблемы материаловедения. Нанонаука

Наиболее читаемые статьи этого автора (авторов)