POSSIBILITIES OF STUDYING OF NANOOBJECTS IN POROUS SILICON AND WAFERS OF SILICON IRRADIATED BY PROTONS BY METHOD OF POSITRON ANNIHILATION SPECTROSCOPY

Authors

  • V. I. Grafutin ФГУП ГНЦ РФ Институт теоретической и экспериментальной физики им. А.И.Алиханова
  • O. V. Ilyukhina ФГУП ГНЦ РФ Институт теоретической и экспериментальной физики им. А.И.Алиханова
  • G. G. Myasishcheva ФГУП ГНЦ РФ Институт теоретической и экспериментальной физики им. А.И.Алиханова
  • R. Burcl ФГУП ГНЦ РФ Институт теоретической и экспериментальной физики им. А.И.Алиханова
  • S. P. Timoshenkov ФГУП ГНЦ РФ Институт теоретической и экспериментальной физики им. А.И.Алиханова, Московский государственный институт электронной техники (МИЭТ)
  • E. P. Prokopiev Московский государственный институт электронной техники (МИЭТ)
  • Yu. V. Funtikov ФГУП ГНЦ РФ Институт теоретической и экспериментальной физики им. А.И.Алиханова

Keywords:

positron annihilation spectroscopy (PAS)

Abstract

It is shown, that one of effective modern methods of definition of the nanodefect sizes (vacancies, vacansion clasters), free volumes of porous, cavities, emptiness in nanomaterials and porous systems is the method of positron annihilation spectroscopy (PAS). Examples of definition of the sizes and concentration of porous and free volumes in porous silicon, silicon and the monocrystals of quartz irradiated by protons are resulted.

Downloads

Issue

Vol. 2009 No. 3 (2009): KazNU Bulletin. Physics series

Section

Plasma Physics

How to Cite

POSSIBILITIES OF STUDYING OF NANOOBJECTS IN POROUS SILICON AND WAFERS OF SILICON IRRADIATED BY PROTONS BY METHOD OF POSITRON ANNIHILATION SPECTROSCOPY. (2009). Recent Contributions to Physics, 2009(3), 47-54. https://bph.kaznu.kz/index.php/zhuzhu/article/view/207