ОЦЕНКА ТОЛЩИНЫ ПЛЕНОЧНЫХ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПОДЛОЖЕК ФОСФИДА ГАЛЛИЯ, ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ ОТДЕЛЯЕМОГО РОСТА В СИСТЕМЕ Sn- Ga / InP

Authors

  • В. С. Антощенко НИИ ЭТФ, Казахский национальный университет им. Аль-Фараби
  • О. А. Лаврищев
  • Ю. В. Францев

Abstract

Предложена методика расчета и проведена оценка толщины пленочных монокристаллических подложек фосфида галлия, сформированных методом отделяемого роста из раствора-расплава. Показана возможность выращивания матричных пленочных подложек толщиной менее 20 нанометров.

Downloads

How to Cite

ОЦЕНКА ТОЛЩИНЫ ПЛЕНОЧНЫХ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПОДЛОЖЕК ФОСФИДА ГАЛЛИЯ, ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ ОТДЕЛЯЕМОГО РОСТА В СИСТЕМЕ Sn- Ga / InP. (2008). Recent Contributions to Physics, 2008(3), 41-46. https://bph.kaznu.kz/index.php/zhuzhu/article/view/317