ОЦЕНКА ТОЛЩИНЫ ПЛЕНОЧНЫХ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПОДЛОЖЕК ФОСФИДА ГАЛЛИЯ, ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ ОТДЕЛЯЕМОГО РОСТА В СИСТЕМЕ Sn- Ga / InP

Authors

  • В. С. Антощенко НИИ ЭТФ, Казахский национальный университет им. Аль-Фараби
  • О. А. Лаврищев
  • Ю. В. Францев

Abstract

Предложена методика расчета и проведена оценка толщины пленочных монокристаллических подложек фосфида галлия, сформированных методом отделяемого роста из раствора-расплава. Показана возможность выращивания матричных пленочных подложек толщиной менее 20 нанометров.

Downloads

Issue

Vol. 2008 No. 3 (2008): KazNU Bulletin. Physics series

Section

Plasma Physics

How to Cite

[1]
В. С. Антощенко, О. А. Лаврищев, and Ю. В. Францев, “ОЦЕНКА ТОЛЩИНЫ ПЛЕНОЧНЫХ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПОДЛОЖЕК ФОСФИДА ГАЛЛИЯ, ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ ОТДЕЛЯЕМОГО РОСТА В СИСТЕМЕ Sn- Ga / InP”, Rec.Contr.Phys., vol. 2008, no. 3, pp. 41–46, Sep. 2008, Accessed: Jul. 09, 2026. [Online]. Available: https://bph.kaznu.kz/index.php/zhuzhu/article/view/317