ОЦЕНКА ТОЛЩИНЫ ПЛЕНОЧНЫХ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПОДЛОЖЕК ФОСФИДА ГАЛЛИЯ, ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ ОТДЕЛЯЕМОГО РОСТА  В СИСТЕМЕ Sn- Ga / InP

V.S. Antoshchenko; O.A. Lavrishchev; YU.V. Frantsev

Sn- Ga / InP ЖҮЙЕСІНДЕ БӨЛІНІП ӨСУ ӘДІСІМЕН АЛЫНҒАН ГАЛЛИЙ ФОСФИДІНІҢ ҮЛДІРЛІК МОНОКРИСТАЛДЫҚ ТӨСЕНІШІНІҢ ҚАЛЫНДЫҒЫН БАҒАЛАУ

Авторлар

V.S. Antoshchenko Әл-Фараби атындағы КазҰУ
O.A. Lavrishchev НИИЭТФ, Казахский национальный университет имени аль-Фараби, Казахстан, Алматы
YU.V. Frantsev НИИЭТФ, Казахский национальный университет имени аль-Фараби, Казахстан, Алматы

Аңдатпа

Бөлінген өсу әдісімен дайындалған GaP монокристалды матрицалық субстраттардың қалыңдығын бағалау әдісі ұсынылады. 20 нм-ден аз матрицалық субстраттардың пайда болу мүмкіндігі көрсетілген.

Жүктеулер

pdf (орыс тілі)

Жарияланды

2008-11-01

Журналдың саны

Нөмір 2008 № 3 (2008): KazNU Bulletin. Physics series

Бөлім

Condensed Matter Physics and Materials Science Problems. NanoScience

Дәйексөзді қалай келтіруге болады

Sn- Ga / InP ЖҮЙЕСІНДЕ БӨЛІНІП ӨСУ ӘДІСІМЕН АЛЫНҒАН ГАЛЛИЙ ФОСФИДІНІҢ ҮЛДІРЛІК МОНОКРИСТАЛДЫҚ ТӨСЕНІШІНІҢ ҚАЛЫНДЫҒЫН БАҒАЛАУ. (2008). Хабаршы. Физика сериясы, 2008(3), 71-75. https://bph.kaznu.kz/index.php/zhuzhu/article/view/1489