ОЦЕНКА ТОЛЩИНЫ ПЛЕНОЧНЫХ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПОДЛОЖЕК ФОСФИДА ГАЛЛИЯ, ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ ОТДЕЛЯЕМОГО РОСТА В СИСТЕМЕ Sn- Ga / InP

Авторы

  • V.S. Antoshchenko НИИЭТФ, Казахский национальный университет имени аль-Фараби, Казахстан, Алматы
  • O.A. Lavrishchev НИИЭТФ, Казахский национальный университет имени аль-Фараби, Казахстан, Алматы
  • YU.V. Frantsev НИИЭТФ, Казахский национальный университет имени аль-Фараби, Казахстан, Алматы

Аннотация

Предложена методика расчета и проведена оценка толщины пленочных монокристаллических подложек фосфида галлия, сформированных методом отделяемого роста из раствора-расплава. Показана возможность выращивания матричных пленочных подложек толщиной менее 20 нанометров.

Библиографические ссылки

1. Antoschtnko V.S.,Taurbaev T.I. Skirnevskaya E.V. Formation peculiarities of III-V heterostructures by free film technology // 25th Conference on the Physics and Chemistry of Semiconductor Interfaces (PCSI-25), Salt Lake City, Utah18-22 Jan.1998,Abstr.1998.- Р.89.

2. Antoschenko V.S., Taurbaev T.I. Separated growth of monocrystalline films in the system Sn-Ga-Al-As // Abstr.1-st Int.Conf. on Epitaxial Cryst. Growth. April 1-7. 1990. Budapest,Hungary, 1990.- Р.411-413.

Загрузки

Опубликован

2008-11-01

Выпуск

Том 27 № 3 (2008): Вестник. Серия физическая

Раздел

Физика конденсированного состояния и проблемы материаловедения. Нанонаука