Твердофазное разложение полупроводников InP под действием импульсов лазерного излучения

Авторы

  • N.G. Jumamukhambetov Атырауский институт нефти и газа, г. Атырау, Казахстан
  • M.A. Janalieva Атырауский институт нефти и газа, г. Атырау, Казахстан
  • A.S. Dautova Атырауский институт нефти и газа, г. Атырау, Казахстан

Ключевые слова:

лазерное облучение, плотность дислокаций, монокристаллы фосфида индия

Аннотация

Показано, что термические напряжения, возникающие во время действия импульса облучения, приводят к появлению значительного количества дислокаций. Установлено, что плотность дислокаций с увеличением суммарной плотности энергии облучения увеличивается и при 250-300 Дж/см2 составляет около 8,4∙ 107 см-2.

Загрузки

Опубликован

21.12.2012

Выпуск

Том 2012 № 4 (2012): Вестник КазНУ. Серия физическая

Раздел

Физика конденсированного состояния и проблемы материаловедения. Нанонаука

Как цитировать

Твердофазное разложение полупроводников InP под действием импульсов лазерного излучения. (2012). Recent Contributions to Physics, 2012(4), 51-54. https://bph.kaznu.kz/index.php/zhuzhu/article/view/726