Hardphase decomposition of semiconductors InP under the action of pulses of laser light
Keywords:
laser radiation, the dislocation density, phosphide of indium single crystalsAbstract
It is shown the thermal stresses induced during laser pulse action result to significant increase a dislocation density. The dislocation density increases with rising the laser irradiation fluence and equals about 8,4∙107сm-2 at the fluence 250-300 J/cm2.
References
2. Джаманбалин К.К., Дмитриев А.Г., Сокол- Номоконов Э.Н., Уханов Ю.И. Обогащение поверхности кристаллов 1пР индием вследствие селективного испарения материала при им¬пульсной лазерной обработке // ФХОМ, 1990. – №3. – С.85-88.
3. Горелик С.С., Расторгуев Л.Н., Скапов Ю.А. Рентгенографический и электронно-оптический анализ. - М.: Металлургия, 1970. - 366 с.
4. АSТМ Card File. Diffraction data cards and alphabetical and grouped numerical index of X-ray diffraction data. Philadelphia: Ed.ASTM, 1969. - 421p.
5. Миркин ЛИ. Справочник по рентгеноструктурному анализу поликристаллов. - М.: Физматгиз, 1961. - 863 с.
6. Флехин В.П. Физика прочности и пластичности поверхностных слоев материалов. - М.: Наука, 1983. - 280 с.
7. Wilkens M. Das mittlere spanungsquadrat <δ2> begrenzet regellos verteilter versetzungen in einem zylinderformigen korper. //Acta metal., 1989.- V.7, No.17. - Р.1155-1159.











