ОЦЕНКА ТОЛЩИНЫ ПЛЕНОЧНЫХ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПОДЛОЖЕК ФОСФИДА ГАЛЛИЯ, ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ ОТДЕЛЯЕМОГО РОСТА  В СИСТЕМЕ Sn- Ga / InP

V.S. Antoshchenko; O.A. Lavrishchev; YU.V. Frantsev

Sn- Ga / InP ЖҮЙЕСІНДЕ БӨЛІНІП ӨСУ ӘДІСІМЕН АЛЫНҒАН ГАЛЛИЙ ФОСФИДІНІҢ ҮЛДІРЛІК МОНОКРИСТАЛДЫҚ ТӨСЕНІШІНІҢ ҚАЛЫНДЫҒЫН БАҒАЛАУ

Авторлар

V.S. Antoshchenko Әл-Фараби атындағы КазҰУ
O.A. Lavrishchev ЭТФҒЗИ, әл-Фараби ат. Қазақ ұлттық университеті, Қазақстан, Алматы қ.
YU.V. Frantsev ЭТФҒЗИ, әл-Фараби ат. Қазақ ұлттық университеті, Қазақстан, Алматы қ.

Аңдатпа

Бөлінген өсу әдісімен дайындалған GaP монокристалды матрицалық субстраттардың қалыңдығын бағалау әдісі ұсынылады. 20 нм-ден аз матрицалық субстраттардың пайда болу мүмкіндігі көрсетілген.

Жүктеулер

pdf (орыс тілі)

Жарияланды

2008-11-01

Журналдың саны

Нөмір 27 № 3 (2008): Хабаршы. Физика сериясы

Бөлім

Конденсирленген күй физикасы және материалтану проблемалары. Наноғылым

Дәйексөзді қалай келтіруге болады

[1]

V. Antoshchenko, O. Lavrishchev, and Y. Frantsev, “Sn- Ga / InP ЖҮЙЕСІНДЕ БӨЛІНІП ӨСУ ӘДІСІМЕН АЛЫНҒАН ГАЛЛИЙ ФОСФИДІНІҢ ҮЛДІРЛІК МОНОКРИСТАЛДЫҚ ТӨСЕНІШІНІҢ ҚАЛЫНДЫҒЫН БАҒАЛАУ”, Rec.Contr.Phys., vol. 27, no. 3, pp. 71–75, Nov. 2008, Accessed: Sep. 09, 2026. Available: https://bph.kaznu.kz/index.php/zhuzhu/article/view/1489