СТРУКТУРА ТОНКИХ СЛОЕВ SiC0,12, ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ. КОНЦЕНТРАЦИЯСЫ NC/NSi = 0.12 КӚМІРТЕГІ ЕНДІРІЛГЕН КРЕМНИЙДІН ЖҦҚА ҚАБАТТАРЫНЫҢ ҚҦРЫЛЫМЫ

Аңдатпа

Исследуется структура, фазовый и элементный состав имплантированного слоя Si с концентрацией углерода NC/NSi = 0.12 методами оже-электронной спектроскопии, рентгеновской дифракции, инфракрасной спектроскопии и атомно-силовой микроскопии. Показана взаимосвязь между видами превалирующих Si-C связей, процессами кристаллизации и положением максимума пика ИК-пропускания в интервале 720-830 cм -1. Показано, что в слое SiC0.12 рост тетраэдрических SiC связей происходит за счет распада прочных оптически неактивных углеродных кластеров при температурах выше 1200 С. Исследуются изменения структуры поверхности после имплантации и высокотемпературного отжига. NC/NSi = 0.12 кӛміртегі концентрациясы ендірілген Si қабатының құрылымы, фазалық және элементтік құрамы оже-электрондық спектроскопия, рентгендік дифракция, инфрақызыл спектроскопия және атомдық-күштік спектроскопия тәсілдері арқылы зерттелінеді. 720-830 аралығында басым болған Si-C байланыс түрлерінің кристалдану процестерің және ИК-ӛткізудің жоғарғы шың орнының арасындағы озара байланысы кӛрсетілген. SiC0.12 қабатында тетраэдрлік Si-C байланыстарының ұлғаюы температурасы 1200 С-дан жоғары кезінде берік оптикалық белсенді емес кӛміртегі кластерлерінің ыдырау себебінен болатыны кӛрсетілген. Ендіруден және жоғары температуралық күйдіруден кейін бет құрылымының ӛзгерісі зерттелінді.