Структура и фазовый состав эпитаксиальных пленок SiC, выращенных методом замещения атомов

Аңдатпа

В данной работе методами рентгеновской дифракции, электронографии, атомно-силовой микроскопии и рамановской микроскопии исследованы структура, фазовый состав и микроструктура поверхности пленки SiC, синтезированной методом замещения атомов в высокоомном c-Si ориентации (111) в смеси газов CO и SiН4 (264 Па, 1250°С, 15 мин). Показано, что пленка 3C-SiC является эпитаксиальной и не содержит двойников на поверхности, имеет пирамидальную структуру поверхности с колебаниями высоты до 19 нм с отчетливой фрагментацией зерен размером от 100 до 200 нм. Определены поперечные размеры крупных кристаллов (85 × 110 мкм) и средние размеры нанокристаллов β-SiC (3 – 7 нм) с совершенной структурой в переходной области «пленка-подложка». Показано отсутствие крупных царапин на поверхности пленки SiC. Развитая кристаллическая поверхность пленки свидетельствует об образовании высококачественных кристаллов SiC за счет залечивания усадочных пор в течение длительного (15 мин) высокотемпературного синтеза.