СТРУКТУРА ТОНКИХ СЛОЕВ SiC0,12, ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ

Аннотация

Исследуется структура, фазовый и элементный состав имплантированного слоя Si с концентрацией углерода NC/NSi = 0.12 методами оже-электронной спектроскопии, рентгеновской дифракции, инфракрасной спектроскопии и атомно-силовой микроскопии. Показана взаимосвязь между видами превалирующих Si-C связей, процессами кристаллизации и положением максимума пика ИК-пропускания в интервале 720-830  cм^-1. Показано, что в слое SiC_0.12 рост тетраэдрических Si-C связей происходит за счет распада прочных оптически неактивных углеродных кластеров при температурах выше 1200°С. Исследуются изменения структуры поверхности после имплантации и высокотемпературного отжига.