Реализация метода нестационарной спектроскопии глубоких уровней в условиях лабораторного эксперимента для студентов вузов

Аңдатпа

В статье описывается метод нестационарной спектроскопии глубоких уровней (DLTS) применительно к лабораторному эксперименту студентов, проходящих обучение по специализации в области полупроводниковых материалов и приборов в высших учебных заведениях. Данная методика применяется для исследования глубоких примесных уровней в барьерных структурах или p-n переходах. Основное преимущество данного метода заключается в его высокой чувствительности. Другими преимуществами метода являются возможность изучения процессов захвата и эмиссии носителей заряда на глубоких уровнях, исследование поведения дефектов и их природы, возможность определения параметров глубоких уровней, таких как энергия активации, сечение захвата и их концентрация, возможность определения типа ловушек. В качестве демонстрации данной методики представлены результаты измерений стандартным методом DLTS на кремниевых и германиевых диодах, полученные при помощи спектрометра DLS. На основании приведенного в статье материала возможна разработка методического пособия для лабораторных работ. Применение данной методики в обучающих условиях лабораторного эксперимента в вузах позволит студентам развить широкий спектр теоретических знаний и экспериментальных навыков в области полупроводниковой физики.