Твердофазное разложение полупроводников InP под действием импульсов лазерного излучения

Авторлар

  • N.G. Jumamukhambetov Атырауский институт нефти и газа, г. Атырау, Казахстан
  • M.A. Janalieva Атырауский институт нефти и газа, г. Атырау, Казахстан
  • A.S. Dautova Атырауский институт нефти и газа, г. Атырау, Казахстан

Кілт сөздер:

лазерное облучение, плотность дислокаций, монокристаллы фосфида индия

Аңдатпа

Показано, что термические напряжения, возникающие во время действия импульса облучения, приводят к появлению значительного количества дислокаций. Установлено, что плотность дислокаций с увеличением суммарной плотности энергии облучения увеличивается и при 250-300 Дж/см2 составляет около 8,4∙ 107 см-2.

Жүктеулер

Жарияланды

2012-12-21

Журналдың саны

Нөмір 2012 № 4 (2012): KazNU Bulletin. Physics series

Бөлім

Condensed Matter Physics and Materials Science Problems. NanoScience

Дәйексөзді қалай келтіруге болады

Твердофазное разложение полупроводников InP под действием импульсов лазерного излучения. (2012). Хабаршы. Физика сериясы, 2012(4), 51-54. https://bph.kaznu.kz/index.php/zhuzhu/article/view/726