Изучение параметров электронной литографии посредством АСМ

M.М. Myrzabekova; N.R. Guseinov; S.I. Zaitsev; Ya.L. Shabelnikova; M.M. Muratov; S.R. Muradova; T.B. Turarbaeva

doi:10.26577/rcph-2019-1-1112

Авторы

M.М. Myrzabekova ННЛОТ, КазНУ им.аль-Фараби, г.Алматы, Казахстан
N.R. Guseinov ННЛОТ, КазНУ им.аль-Фараби, г.Алматы, Казахстан
S.I. Zaitsev Институт проблем технологии микроэлектроники и особо чистых материалов (ИПТМ) РАН, Черноголовка, Россия
Ya.L. Shabelnikova Институт проблем технологии микроэлектроники и особо чистых материалов (ИПТМ) РАН, Черноголовка, Россия
M.M. Muratov ННЛОТ, КазНУ им.аль-Фараби, г.Алматы, Казахстан
S.R. Muradova ННЛОТ, КазНУ им.аль-Фараби, г.Алматы, Казахстан
T.B. Turarbaeva ННЛОТ, КазНУ им.аль-Фараби, г.Алматы, Казахстан

DOI:

10.26577/rcph-2019-1-1112

Ключевые слова:

литография, электронная литография, АСМ, метод центрифугирования, ПММА, доза облучения

Аннотация

В работе рассматривается один из методов формирования микро- и нано- изображений с высокой точностью контролирования процесса – электронная литография. По сравнению с остальными технологиями наноструктурирования, в частности, такими как фотолитография, электронная литография является более универсальной. В данной работе описаны технологические процессы электронной литографии на кремниевой подложке с применением резиста на основе полимера ПММА. Облучение проводилось в камере СЭМ электронами с энергией 5 кэВ, 15 кэВ, 30 кэВ и дозой экспонирования 1-10000 мкКл/см². Анализ полученных образцов с помощью оптической и атомно-силовой микроскопии (АСМ) показал зависимость цвета и соответствующей толщины резиста от дозы облучения. На основе профилей толщины резиста был проведен расчет таких параметров как положительная и негативная чувствительность и контраст.