ОЦЕНКА ТОЛЩИНЫ ПЛЕНОЧНЫХ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПОДЛОЖЕК ФОСФИДА ГАЛЛИЯ, ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ ОТДЕЛЯЕМОГО РОСТА В СИСТЕМЕ Sn- Ga / InP

Авторы

  • V.S. Antoshchenko НИИЭТФ, Казахский национальный университет имени аль-Фараби, Казахстан, Алматы
  • O.A. Lavrishchev НИИЭТФ, Казахский национальный университет имени аль-Фараби, Казахстан, Алматы
  • YU.V. Frantsev НИИЭТФ, Казахский национальный университет имени аль-Фараби, Казахстан, Алматы

Аннотация

Предложена методика расчета и проведена оценка толщины пленочных монокристаллических подложек фосфида галлия, сформированных методом отделяемого роста из раствора-расплава. Показана возможность выращивания матричных пленочных подложек толщиной менее 20 нанометров.

Загрузки

Опубликован

01.11.2008

Выпуск

Том 2008 № 3 (2008): Вестник. Серия физическая

Раздел

Физика конденсированного состояния и проблемы материаловедения. Нанонаука

Как цитировать

ОЦЕНКА ТОЛЩИНЫ ПЛЕНОЧНЫХ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПОДЛОЖЕК ФОСФИДА ГАЛЛИЯ, ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ ОТДЕЛЯЕМОГО РОСТА В СИСТЕМЕ Sn- Ga / InP. (2008). Recent Contributions to Physics, 2008(3), 71-75. https://bph.kaznu.kz/index.php/zhuzhu/article/view/1489

Наиболее читаемые статьи этого автора (авторов)