ОЦЕНКА ТОЛЩИНЫ ПЛЕНОЧНЫХ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПОДЛОЖЕК ФОСФИДА ГАЛЛИЯ, ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ ОТДЕЛЯЕМОГО РОСТА В СИСТЕМЕ Sn- Ga / InP

Авторы

  • В. С. Антощенко НИИ ЭТФ, Казахский национальный университет им. Аль-Фараби
  • О. А. Лаврищев
  • Ю. В. Францев

Аннотация

Предложена методика расчета и проведена оценка толщины пленочных монокристаллических подложек фосфида галлия, сформированных методом отделяемого роста из раствора-расплава. Показана возможность выращивания матричных пленочных подложек толщиной менее 20 нанометров.

Загрузки

Выпуск

Том 2008 № 3 (2008): Вестник. Серия физическая

Раздел

Физика плазмы

Как цитировать

[1]
В. С. Антощенко, О. А. Лаврищев, и Ю. В. Францев, «ОЦЕНКА ТОЛЩИНЫ ПЛЕНОЧНЫХ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПОДЛОЖЕК ФОСФИДА ГАЛЛИЯ, ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ ОТДЕЛЯЕМОГО РОСТА В СИСТЕМЕ Sn- Ga / InP», Rec.Contr.Phys., т. 2008, вып. 3, сс. 41–46, сен. 2008, просмотрено: 9 июль 2026 г. [онлайн]. доступно на: https://bph.kaznu.kz/index.php/zhuzhu/article/view/317