Релаксационды спектроскопия әдісімен кремнилі диодтың терең деңгейлі параметрлерін зерттеу

Аннотация

Жартылай өткізгішті материалдарда кездесетін дефектілер, құрылғының электрлі физикалық сипаттамаларына (өткізгіштік, заряд тасымалдаушылардың өмір сүру уақыты) орасан зор әсер етеді. Тыйым салу аймағында осындай құбылыстардың орналасуын – «терең деңгейлер» деп атайды. Дефектілер болмысына байланысты, өзіндік болуы мүмкін немесе арнайы белгілі бір үлгіні алу барысында, әр түрлі технологиялық факторлардың әсерінен пайда болуы мүмкін. Жартылай өткізгішті құрылғыларда кездесетін терең деңгейлердің параметрлерін (иондалу энергиясы, концентрациясы және ұстап алу көлденең қимасы) зерттеуге арналған бірден бір тиімді әдіс – релаксационды спектроскопия (ағылшынша: «deep level transient spectroscopy (DLTS)») әдісі болып табылады. Релаксационды спектроскопия әдiстемесі тосқауылды құрылымды немесе p-n өткелдегі терең деңгейлердің параметрлерін зерттеу үшін қолданылады. Әдістің артықшылығы – оның өте жоғары сезімталдылығы болып саналады. Сонымен қатар, релаксационды спектроскопия әдісінің көмегімен зерттеулер жүргізу барысында, жартылай өткізгіштің энергетикалық тиым салынған аймағын толықтай зерттеуін қамтамасыз етеді. Әдістемені эксперименталды түрде орындау барысында DLS спектрометрдің көмегімен алынған кремнилі КД208А диодтың зерттеу нәтижелерi көрсетілді.