Твердофазное разложение полупроводников InP под действием импульсов лазерного излучения

Авторы

  • N.G. Jumamukhambetov Атырауский институт нефти и газа, г. Атырау, Казахстан
  • M.A. Janalieva Атырауский институт нефти и газа, г. Атырау, Казахстан
  • A.S. Dautova Атырауский институт нефти и газа, г. Атырау, Казахстан

Ключевые слова:

лазерное облучение, плотность дислокаций, монокристаллы фосфида индия

Аннотация

Показано, что термические напряжения, возникающие во время действия импульса облучения, приводят к появлению значительного количества дислокаций. Установлено, что плотность дислокаций с увеличением суммарной плотности энергии облучения увеличивается и при 250-300 Дж/см2 составляет около 8,4∙ 107 см-2.

Загрузки

Опубликован

21.12.2012

Выпуск

Том 2012 № 4 (2012): Вестник КазНУ. Серия физическая

Раздел

Физика конденсированного состояния и проблемы материаловедения. Нанонаука

Как цитировать

[1]
N. Jumamukhambetov, M. Janalieva, и A. Dautova, «Твердофазное разложение полупроводников InP под действием импульсов лазерного излучения», Rec.Contr.Phys., т. 2012, вып. 4, сс. 51–54, дек. 2012, просмотрено: 12 июль 2026 г. [онлайн]. доступно на: https://bph.kaznu.kz/index.php/zhuzhu/article/view/726